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    半導(dǎo)體探測器應(yīng)用

    2016/11/11 14:16:34

    半導(dǎo)體探測器有兩個電極,加有一定的偏壓。當(dāng)入射粒子進(jìn)入半導(dǎo)體探測器的靈敏區(qū)時,即產(chǎn)生電子-空穴對。在兩極加上電壓后,電荷載流子就向兩極作漂移運(yùn)動﹐收集電極上會感應(yīng)出電
    半導(dǎo)體探測器
    半導(dǎo)體探測器荷,從而在外電路形成信號脈沖。但在半導(dǎo)體探測器中,入射粒子產(chǎn)生一個電子-空穴對所需消耗的平均能量為氣體電離室產(chǎn)生一個離子對所需消耗的十分之一左右,因此半導(dǎo)體探測器比閃爍計數(shù)器和氣體電離探測器的能量分辨率好得多。半導(dǎo)體探測器的靈敏區(qū)應(yīng)是接近理想的半導(dǎo)體材料,而實際上一般的半導(dǎo)體材料都有較高的雜質(zhì)濃度,必須對雜質(zhì)進(jìn)行補(bǔ)償或提高半導(dǎo)體單晶的純度。通常使用的半導(dǎo)體探測器主要有結(jié)型、面壘型、鋰漂移型和高純鍺等幾種類型。金硅面壘型探測器1958年首次出現(xiàn),鋰漂移型探測器60年代初研制成功,同軸型高純鍺(HPGe)探測器和高阻硅探測器等主要用于能量測量和時間的探測器陸續(xù)投入使用,半導(dǎo)體探測器得到迅速的發(fā)展和廣泛應(yīng)用。

    結(jié)型探測器 結(jié)構(gòu)類似結(jié)型半導(dǎo)體二極管,但用于探測粒子時要加上足夠的反向偏壓。這時電子和空穴背著PN結(jié)移動而形成靈敏區(qū)。結(jié)型探測器一般采用硅單晶。這是因硅具有較大的禁帶寬度,可用以保證在室溫下工作時有足夠小的漏電流。此外它的靈敏層厚度一般只有1毫米左右,故只適于探測穿透力較小的帶電粒子。

    半導(dǎo)體探測器應(yīng)用的相關(guān)產(chǎn)品:

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